Capacidad 512GB
Forma de Factor M.2(2280)
Interfaz PCIe Gen3×4
Máxima velocidad de lectura secuencial de 128 K 2000 MB/s
Máxima velocidad de escritura secuencial de 128 K 1600 MB/s
Máxima IOPS de lectura aleatoria de 4 K 125 K
Máxima IOPS de escritura aleatoria de 4 K 128 K
Consumo de Potencia
Lectura (RMS máx.) 7.2 W
Escritura (RMS máx.) 6.1 W
Resistencia (TBW) 320 TB
Memoria flash NAND 3D TLC
Peso = 8 g
MTBF (tiempo medio entre fallos) 1,500,000 h
Temperatura de Operación 0 °C a 70 °C (32 °F a 158 °F)
Humedad de Operación 5% a 95% (Sin condensación)
